[发明专利]具有无Ge纤芯的大有效面积光纤有效
申请号: | 201180007436.8 | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN102859405A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | S·R·比克汉姆;D·C·布克宾德;M-J·李;S·K·米什拉;D·A·诺兰;P·坦登 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/02 | 分类号: | G02B6/02;G02B6/028;G02B6/036 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 江磊 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种光波导纤维,其包括:(i)无Ge纤芯(12),该无Ge纤芯在1550纳米波长下的有效面积为100-160μm2,并且该无Ge纤芯的α值满足12≤α≤200,所述纤芯包括以下(a)-(c):(a)中心纤芯区域(14),该中心纤芯区域从中线沿径向向外延伸至半径r0,具有相对于纯二氧化硅测得的相对折射率百分数曲线Δ0(r),单位为%,并且满足-0.1%<Δ0(r)≤0.1%,所述中心纤芯区域具有最大相对折射率百分数,Δ0MAX;(b)第一环形纤芯区域(16),该区域围绕所述中心纤芯区域并且与该中心纤芯区域直接相邻,所述第一环形纤芯区域延伸至外部半径r1,其中4.8μm≤r1≤10μm,并且具有相对于纯二氧化硅测得的相对折射率百分数曲线,Δ1(r),单位为%,还具有最小相对折射率,在半径r=2.5μm处测得的相对折射率满足以下关系式:-0.15<Δ,(r=2.5μm)<0,并且Δ0MAX>Δ,(r=2.5μm);(c)氟掺杂的第二环形区域(18),该第二环形区域围绕所述第一环形纤芯区域并与所述第一环形纤芯区域直接相邻,所述第二环形区域延伸至半径13μm<r2<30μm,具有相对于纯二氧化硅测得的负的相对折射率百分数曲线Δ2(r),单位为%,最小相对折射率百分数Δ2MIN为:Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm),且-0.5%<Δ2MIN<-0.27%;(ii)包层(20),所述包层围绕所述纤芯,并且具有相对于纯二氧化硅测得的相对折射率百分数Δc(r),单位为%,并且满足Δc(r)=Δ2MIN±0.3%;对所述光纤的相对折射率曲线进行选择,使得在1550纳米波长下的衰减不大于0.175dB/km。 | ||
搜索关键词: | 有无 ge 有效面积 光纤 | ||
【主权项】:
一种光波导纤维,其包含(i)和(ii):(i)无Ge纤芯,该无Ge纤芯在1550纳米波长下的有效面积为100‑160μm2,并且该无Ge纤芯的α值满足12≤α≤200,所述纤芯包括以下(a)‑(c):(a)中心纤芯区域,该中心纤芯区域从中线沿径向向外延伸至半径r0,具有相对于纯二氧化硅测得的相对折射率百分数曲线Δ0(r),单位为“%”,并且满足‑0.1%≤Δ0(r)≤0.1%,所述中心纤芯区域具有最大相对折射率百分数,Δ0MAX;(b)第一环形纤芯区域,该区域围绕所述中心纤芯区域并且与该中心纤芯区域直接相邻,所述第一环形纤芯区域延伸至外部半径r1,其中4.8μm≤r1≤10μm,并且具有相对于纯二氧化硅测得的相对折射率百分数曲线,Δ1(r),单位为“%”,还具有最小相对折射率Δr1MIN,在半径r=2.5μm处测得的相对折射率满足以下关系式:‑0.15≤Δ1(r=2.5μm)≤0,并且Δ0MAX≥Δ1(r=2.5μm);(c)氟掺杂的第二环形区域,该第二环形区域围绕所述第一环形纤芯区域并与所述第一环形纤芯区域直接相邻,所述第二环形区域延伸至半径13μm≤r2≤30μm,具有相对于纯二氧化硅测得的负的相对折射率百分数曲线Δ2(r),单位为“%”,最小相对折射率百分数Δ2MIN为:Δ2MIN<Δ1(r=2.5μm),且‑0.5%<Δ2MIN<‑0.27%;(ii)包层,所述包层围绕所述纤芯,并且具有相对于纯二氧化硅测得的相对折射率百分数Δc(r),单位为“%”,并且满足Δc(r)=Δ2MIN±0.3%;对所述光纤的相对折射率曲线进行选择,使得在1550纳米波长下的衰减不大于0.175dB/km。
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