[发明专利]用于局部高掺杂和接通是太阳能电池或太阳能电池前体的半导体结构的方法

摘要

本发明涉及一种用于局部高掺杂和接通半导体结构的方法，所述半导体结构是太阳能电池或太阳能电池前体并且具有基区掺杂类型的硅半导体衬底(1)，所述高掺杂和接通以下述方式进行：在半导体衬底的接通面(1a)上的半导体衬底(1)中形成多个基区掺杂类型的局部高掺杂区域并且在接通面(1a)上或者在一个或多个完全或部分覆盖接通面(1a)的中间层上敷镀一个金属的接通层(7)，以便在所述高掺杂区域上在接通层(7)与半导体衬底(1)之间形成导电连接。

主权项

一种用于局部高掺杂和接通半导体结构的方法，所述半导体结构是太阳能电池或太阳能电池前体并且具有基区掺杂类型的硅半导体衬底(1)，所述高掺杂和接通以下述方式进行：在半导体衬底的接通面(1a)上的半导体衬底(1)中形成多个基区掺杂类型的局部高掺杂区域并且在接通面(1a)上或者在一个或多个完全或部分覆盖接通面(1a)的中间层上敷镀一个金属的接通层(7)，以便在所述高掺杂区域上在接通层(7)与半导体衬底(1)之间形成导电连接，其特征在于，所述方法包括下述步骤：A、制造一个覆盖半导体衬底接通面(1a)的层结构，包括：一个掺杂层(3)，其含有基区掺杂类型的掺杂物并且构造为非晶硅层或碳含量小于10at％的非晶碳化硅层；和一个反射层(4)，其至少在800nm和1200nm之间的波长范围中具有小于半导体衬底折射率nHS的折射率nR，其中，掺杂层(3)在层顺序中构造为比反射层(4)更靠近接通面(1a)，B、在多个区上对层结构和位于其下的半导体衬底的表面进行局部加热，以便形成局部高掺杂区域，其中所述局部加热这样进行：在局部加热的区域上分别局部地形成至少由掺杂层(3)和接通面(1a)上的半导体衬底的部分区域构成的熔化混合物，在该熔化混合物凝固时在接通面(1a)上的半导体衬底(1)中形成至少由掺杂层(3)的掺杂物更强掺杂的高掺杂区域(6)，和C、敷镀一个金属的接通层(7)，以便在高掺杂区域(6)上在半导体衬底(1)与接通层(7)之间形成导电连接。