[发明专利]具有共享资源的工艺腔室及其使用方法在审
申请号: | 201180007643.3 | 申请日: | 2011-04-19 |
公开(公告)号: | CN102741974A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 杰瑞德·阿哈默德·里;詹姆斯·P·克鲁斯;安德鲁·源;克里·林恩·柯布;明·徐;马丁·杰夫·萨里纳斯;安克·舍内尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了具有共享资源的工艺腔室及其使用方法。在一些实施例中,基板处理系统包括第一工艺腔室,该第一工艺腔室具有布置在第一工艺腔室中的第一基板支撑件,其中第一基板支撑件具有第一加热器和第一冷却板,以控制第一基板支撑件的温度;第二工艺腔室,该第二工艺腔室具有布置在第二工艺腔室内的第二基板支撑件,其中第二基板支撑件具有第二加热器和第二冷却板,以控制第二基板支撑件的温度;以及共同传热流体源,该传热流体源具有出口以将传热流体提供至第一冷却板和第二冷却板,并且该传热流体源具有入口,以接收来自第一冷却板和第二冷却板的传热流体。 | ||
搜索关键词: | 具有 共享资源 工艺 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理系统,所述基板处理系统包括:第一工艺腔室,所述第一工艺腔室具有第一基板支撑件,所述第一基板支撑件布置在所述第一工艺腔室内,其中所述第一基板支撑件具有一个或多个通道供传热流体循环,以控制所述第一基板支撑件的温度;第二工艺腔室,所述第二工艺腔室具有第二基板支撑件,所述第二基板支撑件布置在所述第二工艺腔室内,其中所述第二基板支撑件具有一个或多个通道供所述传热流体循环,以控制所述第二基板支撑件的温度;以及共享传热流体源,所述共享传热流体源具有出口,以将所述传热流体提供至所述第一基板支撑件和所述第二基板支撑件各自的所述一个或多个通道,并且所述共享传热流体源具有入口,以接收来自所述第一基板支撑件和所述第二基板支撑件的所述传热流体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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