[发明专利]相变存储器编程方法和相变存储器有效
| 申请号： | 201180007871.0 | 申请日： | 2011-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102741935A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 雷德弗里德勒·阿德里安斯·胡尔克斯;杰西·佩雷斯冈萨雷斯 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种对相变存储器(100)进行编程的方法，所述存储器包括多个存储单元(10)，每个存储单元包括与字线(30)相连的控制端和与位线(20)相连的电流端，所述方法包括：对存储单元(10)的位线(20)和字线(30)之一施加第一置位脉冲(Vb)，所述第一置位脉冲的形状包括衰减后沿(54)，用于把其相变材料从非晶相变成晶体相；对所述存储单元的位线和字线中的另一个施加第二置位脉冲(Vw)，所述第二置位脉冲至少部分地重叠所述第一置位脉冲，使得通过所述存储单元的结果电流脉冲(Ids)呈现所述衰减后沿(52)，所述衰减后沿保证了所述相变材料的结晶；对存储单元的位线(20)和字线(30)之一施加具有所述形状的第一复位脉冲(Vb)，用于把其相变材料从所述晶体相变成非晶相；以及对存储单元的位线和字线中的另一个施加第二复位脉冲(Vw)，所述第二置位脉冲至少部分地重叠所述第一置位脉冲，使得通过所述存储单元的结果电流脉冲(Ids)呈现所述第二复位脉冲的后沿。还公开了一种相应的相变存储器(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种对相变存储器(100)进行编程的方法，所述存储器包括多个存储单元(10)，每个存储单元包括与字线(30)相连的控制端和与位线(20)相连的电流端，所述方法包括：对存储单元(10)的位线(20)和字线(30)之一施加第一置位脉冲(Vb)，所述第一置位脉冲的形状包括衰减后沿(54)，用于把其相变材料从非晶相变成晶体相；对所述存储单元的位线和字线中的另一个施加第二置位脉冲(Vw)，所述第二置位脉冲至少部分地重叠所述第一置位脉冲，使得通过所述存储单元的结果电流脉冲(Ids)呈现所述衰减后沿(52)，所述衰减后沿保证所述相变材料的结晶；对存储单元的位线(20)和字线(30)之一施加具有所述形状的第一复位脉冲(Vb)，用于把其相变材料从所述晶体相变成非晶相；以及对存储单元的位线和字线中的另一个施加第二复位脉冲(Vw)，所述第二置位脉冲至少部分地重叠所述第一置位脉冲，使得通过所述存储单元的结果电流脉冲(Ids)呈现所述第二复位脉冲的后沿。
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