[发明专利]用于制造半导体器件的方法和用于制造半导体器件的装置有效
| 申请号： | 201180008006.8 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102741982A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 中泽治雄 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | FZ-N衬底（1）的背面（1a）被离子注入磷和硼。然后，FZ-N衬底（1）的背面（1a）通过激光（14）的照射被激光退火，同时FZ-N衬底（1）通过衬底加热设备（31）保持在从100℃到500℃的范围内的预定温度。结果，形成FC层（9）和p+集电极层（10）。通过进行激光退火，在加热FZ-N衬底（1）时，可增加离子注入的磷和硼的激活比并获得所期望的扩散分布。结果，可增加已被离子注入FZ-N衬底（1）的背面（1a）的掺杂剂的激活比，而不会不利地影响FS型IGBT的前面结构。进一步地，可充分修复由离子注入引起的晶体缺陷，并可获得预定扩散分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：离子注入掺杂剂至半导体衬底，并通过激光退火激活所述掺杂剂，同时加热所述半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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