[发明专利]干蚀刻剂以及使用其的干蚀刻方法有效
申请号: | 201180008023.1 | 申请日: | 2011-01-25 |
公开(公告)号: | CN102741987A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 日比野泰雄;梅崎智典;菊池亚纪应;毛利勇;冈本觉 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C07C21/22;C09K13/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的干蚀刻剂的特征在于,其包含由化学式CF3C≡CX(其中,X表示H、F、Cl、Br、I、CH3、CFH2或CF2H。)表示的氟化丙炔和下述中的任一者:(B)选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2以及COF2组成的组中的至少一种气体,(C)选自由F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn(式中,Y表示Cl、Br或I。n表示整数,1≦n≦5。)组成的组中的至少一种气体,以及(D)选自由CF4、CHF3、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3ClF3H以及C4F8组成的组中的至少一种气体,所述干蚀刻剂发挥对环境的负担小这一效果,且工艺窗口广,还可应对要求高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 以及 使用 方法 | ||
【主权项】:
一种干蚀刻剂,其包含(A)由化学式CF3C≡CX(其中,X表示H、F、Cl、Br、I、CH3、CFH2或CF2H。)表示的氟化丙炔和下述中的任一者:(B)选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2以及COF2组成的组中的至少一种气体,(C)选自由F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn(式中,Y表示Cl、Br或I,n表示整数,1≦n≦5)组成的组中的至少一种气体,以及(D)选自由CF4、CHF3、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3ClF3H以及C4F8组成的组中的至少一种气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造