[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201180008324.4 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102725851A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 远藤佑太;斎藤隆行;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在小型化晶体管中，需要栅极绝缘层减少其厚度；然而，在栅极绝缘层为单层氧化硅膜的情况下，由于隧道电流（即栅极泄漏电流）的增加，可能发生对栅极绝缘层的变薄的物理上的限制。通过将相对电容率高于或等于10的高k膜用于栅极绝缘层，减少了小型化晶体管的栅极泄漏电流。通过将高k膜用作相对电容率高于与氧化物半导体层接触的第二绝缘层的相对电容率的第一绝缘层，栅极绝缘层的厚度能够薄于考虑氧化硅膜的栅极绝缘层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：在具有绝缘表面的衬底之上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层之上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上的第三绝缘层；以及在所述第三绝缘层之上与所述氧化物半导体层重叠的栅电极，其中，所述第三绝缘层具有比所述第二绝缘层更高的相对电容率。
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