[发明专利]键合半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201180008351.1 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102742004A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | M·萨达卡;R·艾奥努特 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/3105;H01L21/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;张旭东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明的实施方式包括用于制造半导体结构且尤其用于改善包括经处理的半导体结构和半导体结构的键合半导体结构的平整度的方法和结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体结构的方法，所述方法包括：形成与经处理的半导体结构的不平整表面交叠的第一电介质膜；平整化所述第一电介质膜的表面；形成与所述第一电介质膜的平整化表面交叠的第二电介质膜；以及将半导体结构附连到所述第二电介质膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
