[发明专利]半导体器件及其驱动方法有效
申请号: | 201180009045.X | 申请日: | 2011-01-25 |
公开(公告)号: | CN102742002A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 井上广树;加藤清;松崎隆德;长塚修平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;G11C11/401;G11C11/405;H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;李家麟 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明一个目的是提供一种具有新结构的半导体器件,其中甚至在没有提供电力时也能够保持已存储数据,并且写入次数不受限制。该半导体器件使用宽能隙半导体来形成,并且包括有选择地向源线施加与位线的电位相等或不同的电位的电位变化电路。因此,半导体器件的功率消耗能够充分降低。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:位线;源线;电位变化电路;以及存储器单元,所述存储器单元包括: 第一晶体管,包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极以及包含第一半导体的第一沟道形成区; 第二晶体管,包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极和包含第二半导体的第二沟道形成区;以及 电容器,其中,所述第一半导体不同于所述第二半导体,所述第一栅电极、所述第二漏电极和所述电容器的电极之一相互电连接,以便形成保持电荷的结点,所述源线、所述电位变化电路的端子之一和所述第一源电极相互电连接,所述位线、所述第二源电极和所述第一漏电极相互电连接, 所述电位变化电路配置成有选择地将第一电位施加到所述源线或者将第二电位施加到所述源线,以及所述第一电位等于所述位线的电位,而所述第二电位不同于所述位线的电位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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