[发明专利]用于太阳能电池的冶金硅的提纯设备和方法有效
申请号: | 201180009398.X | 申请日: | 2011-02-11 |
公开(公告)号: | CN102834935A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 星野政宏;高政治 | 申请(专利权)人: | 星野政宏;高政治 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种形成高品质硅材料,例如多晶硅,的系统。在特定实施例中,熔化材料包括硅材料和杂质,例如磷物质。该系统包括具有内部区域的坩埚。在特定实施例中,所述坩埚由合适材料制成,诸如石英材料或其它。该石英材料能够承受至少1400摄氏度的温度,以便加工硅。在特定实施例中,所述坩埚被配置为处于竖直位置并且具有露出熔化材料的开口区域。在特定实施例中,本系统具有能量源。此能量源可以是弧加热器或其它合适的加热装置,包括可以相同或不同的多个加热装置。弧加热器被配置在所述开口区域之上并且在露出的所述熔化材料和所述弧加热器的喷口区域之间隔开一个间隙,以在露出的所述熔化材料的中心区域的附近形成确定的温度分布,同时保持所述熔化材料的外部区域的温度低于所述坩埚的石英材料的熔点。在特定实施例中,该系统产生包括0.1ppm及0.1ppm以下的最终磷物质的熔化材料,这是经提纯的硅。 | ||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 冶金 提纯 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种形成用于光伏装置的高品质硅材料的系统,所述系统包括:具有内部区域的坩埚,所述坩埚由石英材料制成,该石英材料能够承受至少1400摄氏度的温度,所述坩埚被配置为处于竖直位置并且具有露出熔化材料的开口区域;以及包括弧加热器的能量源,被配置在所述开口区域之上并且在被露出的熔化材料和所述弧加热器的喷口区域之间隔开一个间隙,以在被露出的熔化材料的中心区域的附近形成确定的温度分布,同时保持所述熔化材料的外部区域的温度低于所述坩埚的石英材料的熔点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于星野政宏;高政治,未经星野政宏;高政治许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180009398.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的