[发明专利]透明导电性膜及其制造方法以及使用透明导电性膜的电子器件有效
申请号: | 201180009890.7 | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN102763173A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 永元公市;近藤健;铃木悠太;永绳智史 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B32B9/00;C23C14/08;C23C14/48;H01B13/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据本发明,可以提供透明导电性膜,所述透明导电性膜显示优异的气体阻隔性和导电性,且在湿热环境下放置后薄层电阻值也低,导电性优异。本发明涉及透明导电膜,其为在基材的至少一个面形成有(A)气体阻隔层和(B)包含氧化锌系导电材料的透明导电层的氧化锌系传导性层合体,其中,上述气体阻隔层由至少包含氧原子、碳原子及硅原子的材料构成,具有从该气体阻隔层的表面向深度方向的层中氧原子存在比例逐渐减少、且碳原子存在比例逐渐增加的区域。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电性 及其 制造 方法 以及 使用 电子器件 | ||
【主权项】:
透明导电性膜,其为在基材的至少一个面形成有(A)气体阻隔层和(B)包含氧化锌系导电材料的透明导电层的氧化锌系导电性层合体,其特征在于,上述气体阻隔层由至少包含氧原子、碳原子及硅原子的材料构成,并且具有从该气体阻隔层的表面向深度方向的层中的氧原子存在比例逐渐减少且碳原子存在比例逐渐增加的区域。
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