[发明专利]形成低电阻硅金属触点的方法无效
| 申请号： | 201180010257.X | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102782810A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | D·波普拉夫斯基;M·阿博特 | 申请（专利权）人： | 英诺瓦莱特公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了在基板上形成欧姆接触的方法。所述方法包括将一组硅颗粒沉积在基板表面上。然后，将所述基板加热至烘焙温度持续一段烘焙时间段以便形成致密膜油墨图案。所述方法还包括在一定温度下将所述基板暴露于具有沉积环境的扩散炉中的掺杂剂源持续一定的时间段，所述沉积环境包含POCl3、N2载气、主要N2气体和反应性O2气体，其中在所述基板表面上形成PSG层。所述方法还包括将所述基板加热至驱入温度并持续一定的时间段；以及沉积氮化硅层。所述方法还包括将一组金属触点沉积在所述一组硅颗粒上；以及将所述基板加热至焙烧温度并持续一定的时间段。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电阻 金属 触点 方法 | ||
【主权项】：
在基板上形成欧姆接触的方法，包括：将一组硅颗粒沉积在所述基板表面上；将所述基板在烘焙环境中加热至烘焙温度并持续一段烘焙时间段以便形成致密膜油墨图案；在沉积温度下将所述基板暴露于具有沉积环境的扩散炉中的掺杂剂源并持续一段沉积时间段，所述沉积环境包含POCl3、N2载气、主要N2气体和反应性O2气体，其中在所述基板表面上形成PSG层；将所述基板在驱入环境中加热至驱入温度并持续一段驱入时间段；沉积氮化硅层；将一组金属触点沉积在所述一组硅颗粒上；将所述基板加热至焙烧温度并持续一段焙烧时间段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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