[发明专利]用于形成减小的室空间的装置，和用于定位多层体的方法无效
| 申请号： | 201180010715.X | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102763208A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | J.帕尔姆;M.菲尔方格;J.哈特维希;S.约斯特 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;林森 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成减小的室空间的装置，例如加工盒或者加工罩，其具有用于定位至少两个各自具有至少一个待加工表面的多层体的装置，其中该设备如此配置：使得该多层体彼此相对，其中该待加工表面彼此背对背，以使得该多层体能够作为多层体布置在加工系统中加工。另外涉及一种定位至少两个每个具有至少一个待加工表面的多层体的方法，其中所述两个多层体布置在这样的形成减小的室空间的装置中，以使得多层体彼此相对，其中该待加工表面彼此背对背，以使得该至少两个物体能够作为多层体布置在加工系统中加工。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 减小 空间 装置 定位 多层 方法 | ||
【主权项】：
用于形成减小的室空间的装置(20a，20b)，例如加工盒(20a)或者加工罩(20b)，其具有用于定位至少两个各自具有至少一个待加工表面(44，54)的多层体(40，50)的设备(30a，30b，30c，30d，30e，30f，30g)，其中该设备(30a‑30g)如此配置：使得所述多层体(40，50)彼此相对，其中所述待加工表面(44，54)彼此背对背，以使得该多层体(40，50)能够作为多层体布置(28a，28b，28c，28d，28e，28f，28g)在加工系统(10)中加工。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法国圣戈班玻璃厂，未经法国圣戈班玻璃厂许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180010715.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于最小输出电压电池充电器的方法和系统
- 下一篇：四极杆质谱仪
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
