[发明专利]In-Ga-Sn系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体膜、及半导体元件有效
| 申请号： | 201180010725.3 | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102770577A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 糸濑将之;西村麻美;笠见雅司;矢野公规 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氧化物烧结体，以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)。0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)0.0001＜Sn/(In+Ga+Sn)≤0.60 (3)。 | ||
| 搜索关键词： | in ga sn 氧化物 烧结 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种氧化物烧结体，以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)，0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)0.0001＜Sn/(In+Ga+Sn)≤0.60 (3)。
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