[发明专利]用于对离子产生和工艺气体离解具有独立控制的等离子体蚀刻的系统、方法和装置有效
| 申请号： | 201180010750.1 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102771192A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·A·赫德森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H05F3/00 | 分类号： | H05F3/00 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 蚀刻半导体晶片的方法，包括将源气体混合物注入到处理室中，将源气体混合物注入到处理室中包括将所述源气体混合物注入到所述处理室的上电极中的多个空心阴极腔中以及在所述空心阴极腔中的每一个中产生等离子体。在所述空心阴极腔中产生所述等离子体包括将第一偏置信号施加到所述空心阴极腔。将产生的等离子体或激活了的物质种类从所述空心阴极腔的每一个的对应出口输出到所述处理室中的晶片处理区域中。所述晶片处理区域位于所述空心阴极腔的所述出口和待蚀刻的表面之间。将蚀刻剂气体混合物注入到所述晶片处理区域中。等离子体也可被支撑和/或产生于所述晶片处理区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 产生 工艺 气体 离解 具有 独立 控制 等离子体 蚀刻 系统 方法 装置 | ||
【主权项】：
蚀刻半导体晶片的方法，包括：将源气体混合物注入到处理室中，包括：将所述源气体混合物注入到所述处理室的上电极中的多个空心阴极腔中；在所述多个空心阴极腔中的每一个中产生等离子体，其包括将第一偏置信号施加到所述多个空心阴极腔；以及将产生的所述等离子体从所述多个空心阴极腔中的每一个的对应出口输出到所述处理室中的晶片处理区域中，所述晶片处理区域位于所述多个空心阴极腔中的每一个的所述出口和待蚀刻的表面之间；将蚀刻剂气体混合物注入到所述晶片处理区域中，所述蚀刻剂气体混合物通过所述上电极中的多个注入口被注入使得所述蚀刻剂气体混合物与从所述多个空心阴极腔的所述出口输出的所述等离子体混合，包括在所述晶片处理区域中产生期望的化学物质种类，且其中通过从所述多个空心阴极腔中的每一个的所述出口流出的所述气体和所述等离子体，所述蚀刻剂气体混合物实质上被防止流入所述多个空心阴极腔中的每一个的所述出口中；以及蚀刻待蚀刻的所述表面。
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