[发明专利]具有多个存储器管芯和控制器管芯的半导体存储装置无效

专利信息
申请号: 201180010822.2 申请日: 2011-02-07
公开(公告)号: CN102770920A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: P·戈里汉姆 申请(专利权)人: 莫塞德技术公司
主分类号: G11C11/409 分类号: G11C11/409;H01L27/108
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 包括多个存储器管芯和控制器管芯的半导体存储装置。该控制器管芯连接到内部控制总线。该控制器管芯被配置成响应于外部读命令而向所述存储器管芯中的所选择的存储器管芯提供内部读命令。所选择的存储器管芯被配置成响应于内部读命令而向控制器提供读数据;其中当存储器管芯中的至少两个存储器管芯被选为所选择的存储器管芯时,对于所述至少两个存储器管芯而言,在控制器管芯接收到外部读命令与接收到来自所选择的存储器管芯的读数据之间的延时不同。
搜索关键词: 具有 存储器 管芯 控制器 半导体 存储 装置
【主权项】:
一种半导体存储装置,包括:多个存储器管芯;连接到内部控制总线的控制器管芯,所述控制器管芯被配置为响应于外部读命令而向所述存储器管芯中的所选择的存储器管芯提供内部读命令;其中,所选择的存储器管芯被配置为响应于所述内部读命令而向所述控制器管芯提供读数据;其中,当所述存储器管芯中的至少两个存储器管芯被选为所选择的存储器管芯时,对于该至少两个存储器管芯而言,在所述控制器管芯接收所述外部读命令与所述控制器管芯接收来自所选择的存储器管芯的所述读数据之间的延时不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莫塞德技术公司,未经莫塞德技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180010822.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top