[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201180010845.3 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102782859A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;大原宏树 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/425;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 目的之一是提供可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置、批量生产性高的半导体装置以及这些半导体装置的制造方法。不产生氧缺损地去除残留在氧化物半导体层中的杂质并将氧化物半导体层纯化到极高纯度。具体而言，在对氧化物半导体层添加氧之后，对氧化物半导体层进行加热处理来去除杂质。为了添加氧，优选采用使用离子注入法或离子掺杂法等添加高能量的氧的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行氧添加；以及在250℃以上且700℃以下对进行了氧添加的所述氧化物半导体层进行热处理。
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