[发明专利]多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)-连接的配体有效
| 申请号： | 201180011723.6 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102834404A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | C·阿扎普;D·沃尔夫;H·C·L·阿贝努伊斯;G·格里特森;K·格雷拉;J·B·M·维尔廷;K·莱什琴斯卡;J·恰班;A·沃伊塔谢维奇 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 通式(I)的多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)连接的配体：L[(R1a)n-1(SiO1,5)nR2a]k[(R1b)n-1SiO1,5)nR2b]1[(R1c)n-1SiO1,5)nR2c]m，(I)其中，(R1a,b,c)n-1(SiO1,5)n是多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)，n=4、6、8、10、12、14、16或18，并且R1a、R1b、R1c各自独立地选自相同或不同的支链或直链的C1-C20烷基链、环烷基、C1-C20烷氧基、芳基、芳氧基、杂芳基和芳烷基，k、l、m是0或1，条件是k+l+m≥1，R2a、R2b、R2c是将多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)连接至配体L的间隔基，配体L是不带电荷的电子供体。 | ||
| 搜索关键词： | 多面体 低聚倍半硅氧烷 poss 连接 | ||
【主权项】：
通式(I)的多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)连接的配体：L[(R1a)n‑1(SiO1,5)nR2a]k[(R1b)n‑1SiO1,5)nR2b]l[(R1c)n‑1SiO1,5)nR2c]m (I)其中，(R1a,b,c)n‑1(SiO1,5)n是多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)，n=4、6、8、10、12、14、16或18，并且R1a、R1b、R1c各自独立地选自相同或不同的支链或直链的C1‑C20烷基链、环烷基、C1‑C20烷氧基、芳基、芳氧基、杂芳基和芳烷基，k、l、m是0或1，条件是k+l+m≥1，R2a、R2b、R2c是将多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)连接至配体L的间隔基，R2a、R2b、R2c各自独立地选自直链或支链的C1‑C20烷基、C3‑C10环烷基、C1‑C20烷氧基、C2‑C20烯基、C2‑C20烯氧基、芳氧基、C1‑C20烷硫基、C1‑C20羧酸酯基、芳基或杂芳基、C1‑C20卤代烷、环状芳基或环状杂芳基、C3‑C10环烷基，它们进而可各被一个或多个选自以下的基团进一步取代：杂原子或芳基、醚、聚醚聚硫醚、氨基、芳基桥接的烷基链，其中芳基部分可包括进一步取代的形式，并且配体L是不带电荷的电子供体。
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