[发明专利]低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法无效
| 申请号： | 201180011792.7 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102906865A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 清水秀治;永野修次;大桥芳;加田武史;菅原久胜 | 申请（专利权）人： | 大阳日酸株式会社;三化研究所股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;C23C16/42;C23C16/509;H01L21/205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的低介电常数层间绝缘膜，通过等离子体CVD法形成，至少含有碳和硅，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。此外，本发明的低介电常数层间绝缘膜的成膜方法，具有通过等离子体CVD法使至少含有碳和硅的绝缘膜材料成膜的工序，作为所述绝缘膜材料不使用烃，在形成的低介电常数层间绝缘膜中，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数层间绝缘膜，通过等离子体CVD法形成，至少含有碳和硅，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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