[发明专利]发光二极管芯片有效

专利信息
申请号: 201180011835.1 申请日: 2011-02-15
公开(公告)号: CN102782886A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 马库斯·毛特;卡尔·恩格尔;斯特法尼·格拉梅尔斯贝格尔;尼古劳斯·格迈因维泽;约翰·艾布尔 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/46
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张春水;李德山
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 提出一种具有半导体层序列(2)的发光二极管芯片,所述半导体层序列具有适合于产生电磁辐射的有源层(3),其中发光二极管芯片(1)在前侧具有辐射出射面(4)。发光二极管芯片(1)在对置于辐射出射面(4)的后侧至少局部地具有包含银的镜层(5)。用于减少镜层(5)的腐蚀和/或改进镜层(5)的附着的功能层(6)设置在镜层(5)上,其中制成功能层(6)的材料分布在整个镜层(5)中。功能层(6)的材料在镜层(5)中具有浓度梯度,其中功能层(6)的材料的浓度在镜层(5)中从功能层(6)起朝着半导体层序列(2)下降。
搜索关键词: 发光二极管 芯片
【主权项】:
发光二极管芯片(1),所述发光二极管芯片具有半导体层序列(2),所述半导体层序列具有适合于产生电磁辐射(11)的有源层(3),其中‑所述发光二极管芯片(1)在前侧具有辐射出射面(4),‑所述发光二极管芯片(1)在对置于所述辐射出射面(4)的后侧至少局部地具有包含银的镜层(5),‑在所述镜层(5)上设置有功能层(6),所述功能层用于减少所述镜层(5)的腐蚀和/或改进所述镜层(5)的附着,‑制成所述功能层(6)的材料也分布在整个所述镜层(5)中,其中所述功能层(6)的所述材料在所述镜层(5)中具有浓度梯度,并且‑所述功能层(6)的所述材料的浓度在所述镜层(5)中从所述功能层(6)起朝着所述半导体层序列(2)下降。
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