[发明专利]半导体晶体管有效
| 申请号： | 201180011856.3 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102792449A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 神林宏;上野胜典;野村刚彦;佐藤义浩;寺本章伸;大见忠弘 | 申请（专利权）人： | 先进动力设备技术研究协会;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/786;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体晶体管，具备：活性层，其由GaN系的半导体构成；和栅极绝缘膜，其具有包含从由标准生成焓的绝对值比228kJ/mol大的绝缘膜构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于所述第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。
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