[发明专利]包括含有CNT和纳米线复合材料的透明导电涂层的电子器件及其制备方法有效
申请号: | 201180012359.5 | 申请日: | 2011-01-18 |
公开(公告)号: | CN102823012A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 维嘉恩·S.·维拉萨米 | 申请(专利权)人: | 格尔德殿工业公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L31/18;G06F3/044;B60S1/08;F25D23/00 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;杨磊 |
地址: | 美国密歇根州*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的某些示例性实施例涉及包括碳纳米管(CNTs)和纳米线符合材料的大面积透明导电涂层(TCCs)及其制备方法。薄膜的σdc/σopt比值可通过稳定的化学掺杂和/或CNT基薄膜的合金化来提高。所述掺杂和/或合金化可被实施于大面积涂层系统,例如,在玻璃和/或其他衬底上。在某些示例性实施例中,一种CNT薄膜可沉积,随后通过化学功能化和/或银和/或钯合金化来掺杂。p型和n型掺杂都可用于本发明的不同实施例中。在某些示例性实施例中,银和/或其他纳米线可被提供,例如,进一步降低表面电阻率。某些示例性实施例可提供接近、满足或超过90%可见传输和90欧姆/平方米目标度量的涂层。 | ||
搜索关键词: | 包括 含有 cnt 纳米 复合材料 透明 导电 涂层 电子器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:玻璃衬底;直接或间接位于所述玻璃衬底上的第一CNT基导电层;与所述第一CNT基导电层接触的第一半导体层;直接或间接位于所述第一半导体层上的至少一个吸收层;直接或间接位于所述至少一个吸收层上的第二半导体层;与所述第二半导体层接触的第二CNT基导电层;及直接或间接位于所述第二CNT基导电层上的背触点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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