[发明专利]辐射源、光刻设备以及器件制造方法无效

专利信息
申请号: 201180012640.9 申请日: 2011-01-31
公开(公告)号: CN102782582A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: D·兰贝特斯基;V·班尼恩;E·鲁普斯特拉;A·亚库宁 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02B5/00;G21K1/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张启程
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种用于产生极紫外辐射束用于光刻设备的辐射源具有碎片抑制装置,碎片抑制装置包括布置在辐射束的中间焦点(IF)处或其附近的喷嘴。喷嘴用作朝向辐射源或收集器光学元件引导气流(330),以便偏转由辐射源发射的微粒碎片(43)。
搜索关键词: 辐射源 光刻 设备 以及 器件 制造 方法
【主权项】:
一种用于将极紫外辐射束供给至光刻设备的辐射源装置,所述辐射源装置包括:真空室,包围辐射产生元件;辐射收集器,布置成收集由辐射产生元件发射的辐射并将辐射形成为方向朝向中间焦点的辐射束;和碎片抑制装置,布置在中间焦点附近并连接至气体源,所述碎片抑制装置包括喷嘴,所述喷嘴布置成引导由所述源供给的气体成为朝向辐射产生元件或辐射收集器的气流,所述气流充分偏转或阻滞朝向中间焦点移动的微粒碎片。
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