[发明专利]光接收元件、光学传感器装置以及用于制造光接收元件的方法

摘要

本发明提供一种光接收元件等，其中能够在II型多量子阱（MQW）结构中防止短波长侧的响应度降低，同时总体提高响应度。该光接收元件特征在于，该光接收元件设置有II型MQW的光接收层（3），具有像素P，并位于衬底1上，该光接收层（3）形成在由III-V族化合物半导体构成的衬底（1）上，MQW结构包括50对以上的两个不同的III-V族化合物半导体层（3a、3b）。在该成对的两个不同的III-V族化合物半导体层中，具有较高的价带势能的层（3a）的厚度比另一个层（3b）的厚度薄。

主权项

一种光电二极管，所述光电二极管形成在III‑V族化合物半导体衬底上，并且包括像素，所述光电二极管包括：吸收层，所述吸收层位于所述衬底上，并且具有II型多量子阱（MQW）结构，其中所述MQW结构包括五十对以上的两个不同类型的III‑V族化合物半导体层，并且所述两个不同类型的III‑V族化合物半导体层中与另一个层相比具有较高的价带势能的层的厚度比所述另一个层的厚度薄。