[发明专利]形成存储器单元阵列的方法、形成多个场效应晶体管的方法、形成源极/漏极区域及隔离沟槽的方法及在衬底中形成一系列间隔沟槽的方法在审
| 申请号： | 201180012861.6 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102792429A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 尼尔·L·戴维斯;理查德·T·豪斯利;瑞珍·库拉那 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在衬底中形成一系列间隔沟槽的方法，所述方法包括在衬底上方形成多个间隔线。在所述间隔线的相对侧上形成各向异性蚀刻的侧壁间隔件。所述线中的个别线的最大宽度大于所述线中的紧密邻近线之间的所述间隔件中的紧密邻近间隔件之间的间隔的最小宽度。移除所述间隔线以在所述间隔件之间形成一系列交替的第一及第二掩模开口。所述第一掩模开口位于所述间隔线先前所在之处且比所述第二掩模开口宽。分别经由所述交替的第一及第二掩模开口在所述衬底中同时蚀刻交替的第一及第二沟槽，以将所述第一沟槽形成为在所述衬底内比所述第二沟槽宽且深。本发明还揭示其它实施方案及实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 存储器 单元 阵列 方法 场效应 晶体管 区域 隔离 沟槽 衬底 一系列 间隔 | ||
【主权项】：
一种在衬底中形成一系列间隔沟槽的方法，其包含：在衬底上方形成多个间隔线；在所述间隔线的相对侧上形成各向异性蚀刻的侧壁间隔件，所述线中的个别线的最大宽度大于所述线中的紧密邻近线之间的所述间隔件中的紧密邻近间隔件之间的间隔的最小宽度；移除所述间隔线以在所述间隔件之间形成一系列交替的第一及第二掩模开口，所述第一掩模开口位于所述间隔线先前所在之处且比所述第二掩模开口宽；及分别经由所述交替的第一及第二掩模开口在所述衬底中同时蚀刻交替的第一及第二沟槽，以将所述第一沟槽形成为在所述衬底内比所述第二沟槽宽且深。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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