[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

提供一种使二极管和晶体管混合存在于同一衬底上，能抑制与利用晶体管的栅极电极的控制无关地产生的漏电流的半导体装置及半导体装置的制造方法。在以高电阻N型衬底形成的N型半导体层中形成P型阱扩散层和P型引出电极区域，并利用电极固定于接地电位。由于向P型阱扩散层侧扩展的耗尽层未到达与隐埋氧化膜的界面，所以P型阱扩散层的表面附近的电位保持为接地电位。在从电源电压对N型半导体层的背面以及阴极电极施加了电压的情况下，由于形成于P型半导体层的MOS型晶体管的隐埋氧化膜侧的沟道区域未进行工作，所以能抑制与利用栅极电极的控制无关的漏电流的产生。

主权项

一种半导体装置，具备：第二导电型的半导体层，在一个面侧的预先确定的第一区域形成有第一导电型的第一的第一导电型区域，并且在所述第一的第一导电型区域的一部分形成有使杂质浓度比所述第一的第一导电型区域高的第二的第一导电型区域，并且在所述一个面侧的与所述第一区域邻接的第二区域的一部分形成有提高了杂质浓度的第一的第二导电型区域以及第三的第一导电型区域；氧化膜层，层叠于所述第二导电型的半导体层的所述一个面侧的所述第一区域和所述第二区域；MOS型晶体管，包含层叠于所述第一区域的所述氧化膜层上的第一导电型的半导体层；第一电极，连接于所述第二的第一导电型区域；第二电极，连接于所述第一的第二导电型区域；以及第三电极，连接于所述第三的第一导电型区域。