[发明专利]溅射靶及其制造方法、以及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201180012919.7 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102791905A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 中岛信昭;佐野孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，以在圆柱形钛材的厚度方向的平行方向和垂直方向上的冷锻加工作为1套捏合锻造加工，实施2套以上上述捏合锻造加工。为了重结晶钛材，加热到700℃以上的温度后，以在厚度方向的平行方向和垂直方向上的冷锻加工作为1套捏合锻造加工，实施2套以上上述捏合锻造加工。另外，冷轧钛材后，加热到300℃以上的温度进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 以及 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种溅射靶的制造方法，其特征在于，该方法具有：第1捏合锻造工序，对圆柱形钛原料实施2套以上捏合锻造加工，所述捏合锻造加工是以在所述圆柱形钛原料的厚度方向的平行方向和垂直方向的冷锻加工作为1套捏合锻造加工；第1热处理工序，将经过了所述第1捏合锻造工序的钛材加热到700℃以上的温度使其重结晶；第2捏合锻造工序，对经过了所述第1热处理工序的钛材实施2套以上捏合锻造加工，所述捏合锻造加工是以在所述钛材的厚度方向的平行方向和垂直方向的冷锻加工作为1套捏合锻造加工；冷轧工序，对经过了所述第2捏合锻造工序的钛材进行冷轧；第2热处理工序，将经过了所述冷轧工序的钛材加热到300℃以上的温度进行热处理；将经过了所述第2热处理工序的钛材进行机械加工、制作溅射靶的工序。
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