[发明专利]二维阵列X射线检测器的检查方法有效
申请号: | 201180013043.8 | 申请日: | 2011-03-03 |
公开(公告)号: | CN102792184A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 佐藤贤治 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24;A61B6/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种二维阵列X射线检测器的检查方法,该检查方法能够通过对具有其尺寸在短时间内变大的增长性的缺陷像素进行识别,来识别不适合于X射线摄影的二维阵列X射线检测器。该二维阵列X射线检测器的检查方法包括以下步骤:偏置电压步骤,多次反复利用共用电极施加偏置电压和停止施加偏置电压;暗电流值测量步骤,对不照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量;缺陷像素识别步骤,根据在暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素;以及判断步骤,根据在缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。 | ||
搜索关键词: | 二维 阵列 射线 检测器 检查 方法 | ||
【主权项】:
一种二维阵列X射线检测器的检查方法,该二维阵列X射线检测器具备:转换膜,其感应X射线并输出与入射的X射线剂量相对应的电荷信号;共用电极,其形成在上述转换膜的表面,对上述转换膜施加偏置电压;多个像素电极,其在上述转换膜的与上述共用电极相反一侧的表面与像素相对应地配置成矩阵状;多个储能电容,其分别与各上述像素电极相连接并蓄积电荷信号;开关元件,其与上述像素电极相连接;栅极驱动器,其在读出信号时通过栅极总线使各开关元件依次导通;以及数据集成部,其通过数据总线读出各上述储能电容所蓄积的电荷信号,该检查方法的特征在于,包括以下步骤:偏置电压步骤,多次反复利用上述共用电极施加偏置电压和停止施加偏置电压;暗电流值测量步骤,对没有照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量;缺陷像素识别步骤,根据在上述暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素;以及判断步骤,根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。
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