[发明专利]制备高纯硅的方法有效

专利信息
申请号: 201180013133.7 申请日: 2011-03-09
公开(公告)号: CN103052594B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: J·哈恩;U·克拉特;C·施米德 申请(专利权)人: 施米德硅晶片科技有限责任公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 石克虎;林森
地址: 德国弗罗*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用于制备硅,特别是高纯硅的方法,其中(1)提供含硅粉末,特别是在金属丝锯切硅块时产生的粉末,(2)将含硅粉末供入气流中,其中该气体具有足够高的温度,以使硅粉末从固态转变成液态和/或气态,(3)任选冷凝硅蒸汽并收集液态硅,和(4)优选在铸模中冷却收集的液态硅。
搜索关键词: 制备 高纯 方法
【主权项】:
1.用于制备高纯硅的方法,其包括下列步骤:· 提供含硅粉末,所述含硅粉末至少部分是在金属丝锯切硅块时产生的粉末,其中金属丝锯切硅块时产生的粉末含有硅颗粒和硬质材料颗粒,· 将所述含硅粉末供入气流中,其中该气流具有足够高的温度,以使金属硅的颗粒从固态转变成液态和/或气态,并且其中该硬质材料颗粒在此温度下没有熔融,· 从气流中收集和任选冷凝所形成的液态和/气态硅,其中硬质材料颗粒随气流排出,和· 冷却所收集的液态和/或冷凝的硅,以便制成能够再次直接经受金属丝锯切过程的锭或块。
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