[发明专利]循环氧化与蚀刻的设备及方法有效
申请号: | 201180013212.8 | 申请日: | 2011-03-10 |
公开(公告)号: | CN102822947A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 乌陀衍·甘古利;约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特;汤静;克里斯托弗·S·奥尔森;马修·D·科特奈伊-卡斯特;维基·阮;斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑;刘伟;约翰内斯·F·斯温伯格;孙士雨 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室,该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层;通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层;以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中,该材料层可为半导体器件的浮置栅极。 | ||
搜索关键词: | 循环 氧化 蚀刻 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于处理基板的设备,该设备包括:工艺腔室,该工艺腔室中设置有基板支撑件,该基板支撑件用以支撑基板;温度控制系统,用于将被支撑在该支撑件上的基板温度控制在低于约100℃的第一温度;气体源,该气体源与该腔室流体连通,以至少传输含氧气体、不活跃气体以及蚀刻气体至该工艺腔室中;等离子体源,该等离子体源与该工艺腔室流体连通,以激发该含氧气体与该蚀刻气体中的至少一种,而形成氧化等离子体或蚀刻等离子体的至少一种;以及热源,用以将该基板加热至高于该第一温度的第二温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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