[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180013415.7 | 申请日： | 2011-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN102792432A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 利萨·H·卡林;刘连军;亚历克斯·P·帕马塔特;保罗·M·维内贝格尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 晶圆结构(88)包括器件晶圆(20)以及帽晶圆(60)。所述器件晶圆(20)上的每一个半导体管芯(22)包括微电子器件(26)以及终端元件(28,30)。栅栏(36,52)放置在所述器件晶圆(20)的非活跃区(32,50)。所述帽晶圆(60)耦合于所述器件晶圆(20)，以及覆盖所述半导体管芯(22)。移除所述帽晶圆(60)的部分(72)以暴露所述终端元件(28,30)。所述栅栏(36,52)可以高于元件(28,30)，以及当所述部分(72)被移除的时候，起到阻止所述部分(72)与所述终端元件(28,30)接触的功能。单一化切割所述晶圆结构(88)以形成多个半导体器件(89)，每一个器件(89)包括被所述帽晶圆(60)的截面覆盖的微电子器件(26)以及从所述帽晶圆(60)暴露出来的所述终端元件(28,30)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：在器件晶圆的一侧形成半导体管芯，所述半导体管芯包括微电子器件以及与所述微电子器件电通信的终端元件；在所述器件晶圆的非活跃区放置栅栏，所述非活跃区与所述终端元件位置相邻；耦合帽晶圆于所述器件晶圆以形成晶圆结构，所述帽晶圆覆盖所述半导体管芯;以及移除部分的所述帽晶圆，以暴露所述终端元件，其中当移除所述部分的所述帽晶圆时，所述栅栏基本上阻止所述部分与所述终端元件接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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