[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的半导体装置（100）具备：基板（1）；设置于基板上的栅极电极（11）；形成于栅极电极上的栅极绝缘层（12）；氧化物半导体层（13），其形成在栅极绝缘层上，具有沟道区域（13c）和分别位于沟道区域的两侧的源极区域（13s）和漏极区域（13d）；与源极区域电连接的源极电极（14）；与漏极区域电连接的漏极电极（15）；和金属化合物层（16），其位于源极电极与漏极电极之间，与氧化物半导体层接触地设置于氧化物半导体层上。金属化合物层是由与源极电极和漏极电极所包含的金属元素中的至少一种相同的金属元素的化合物形成的绝缘体层或半导体层。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；设置于所述基板上的栅极电极；形成于所述栅极电极上的栅极绝缘层；氧化物半导体层，其形成于所述栅极绝缘层上，具有沟道区域和分别位于所述沟道区域的两侧的源极区域和漏极区域；与所述源极区域电连接的源极电极；与所述漏极区域电连接的漏极电极；和金属化合物层，其位于所述源极电极与所述漏极电极之间，与所述氧化物半导体层接触地设置于所述氧化物半导体层上，其中，所述金属化合物层是绝缘体层或半导体层，所述绝缘体层或半导体层包括与所述源极电极和所述漏极电极所包含的金属元素中的至少一种相同的金属元素的化合物。