[发明专利]等离子体处理装置用电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理装置用电介质窗的安装方法无效
申请号: | 201180013454.7 | 申请日: | 2011-03-24 |
公开(公告)号: | CN102792427A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 吉川弥;松本直树;吉川润 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/31;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在等离子体处理装置用电介质窗(41)中,在生成等离子体的一侧的面的径向外侧区域,设置有排列成环状、向电介质窗(41)的板厚方向内侧凹入成锥形状的第一电介质窗凹部(47)。在第一电介质窗凹部(47)的径向内侧区域,设置有从生成等离子体的一侧的面朝向电介质窗(41)的板厚方向内侧凹入的多个第二电介质窗凹部(53a~53g)。多个第二电介质窗凹部(53a~53g),以电介质窗(41)的径向的中心(56)为中心具有旋转对称性地分别在周向上隔开间隔地配置。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 用电 介质 安装 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,将微波作为等离子体源,该等离子体处理装置的特征在于:具备大致为圆板状、传播所述微波的等离子体处理装置用电介质窗,在所述等离子体处理装置用电介质窗中,在已配设于所述等离子体处理装置时生成等离子体的一侧的面的径向外侧区域,设置有排列成环状、向所述等离子体处理装置用电介质窗的板厚方向内侧凹入呈锥形状的第一电介质窗凹部,在所述第一电介质窗凹部的径向内侧区域,设置有从生成所述等离子体的一侧的面朝向所述等离子体处理装置用电介质窗的板厚方向内侧凹入的多个第二电介质窗凹部,多个所述第二电介质窗凹部,以所述等离子体处理装置用电介质窗的径向的中心为中心具有旋转对称性地分别在周向上隔开间隔地配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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