[发明专利]磁性传感器和使用磁性传感器的磁性平衡式电流传感器有效
| 申请号： | 201180013610.X | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102812376A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 井出洋介;斋藤正路 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R15/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制由固定电阻元件引起的AMR效应的发生的磁性传感器以及在环境温度产生了变化时能够得到十分稳定的输出特性的磁性平衡式电流传感器。本发明的磁性传感器的特征在于，由通过来自被测量电流的感应磁场的施加而使电阻值变化的磁性电阻效应元件和固定电阻元件构成，固定电阻元件具有介由反平行耦合膜(54)使第1强磁性膜(53)和第2强磁性膜(55)反强磁性地耦合而构成的自销止型的强磁性固定层，反平行耦合膜(54)是具有反强磁性耦合效应的第1峰值的厚度的Ru膜，第1强磁性膜(53)和第2强磁性膜(55)的磁化量的差实质上是零。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 传感器 使用 平衡 电流传感器 | ||
【主权项】：
一种磁性传感器，由通过来自被测量电流的感应磁场的施加而使电阻值变化的磁性电阻效应元件和固定电阻元件构成，该磁性传感器的特征在于，所述固定电阻元件具有介由反平行耦合膜使第1强磁性膜和第2强磁性膜反强磁性地耦合而构成的自销止型的强磁性固定层，所述反平行耦合膜是具有反强磁性耦合效应的第1峰值的厚度的Ru膜，所述第1强磁性膜和所述第2强磁性膜的磁化量的差实质上是零。
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