[发明专利]用于制造碳化硅半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201180013622.2 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102792446A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 大井直树;盐见弘 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法包括通过借助于采用包含氧气和从由CF4、C2F6、C3F8和SF6组成的组中选择的至少一种氟化合物气体的气体的蚀刻移除氧化硅膜（31）的一部分来形成氧化硅膜（31）的掩膜图案的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 碳化硅 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造碳化硅半导体器件（100）的方法，包括下述步骤：制备碳化硅衬底（90）；在所述碳化硅衬底（90）上形成氧化硅膜（31）；通过借助于采用第一气体的第一蚀刻移除所述氧化硅膜（31）的一部分，来形成所述氧化硅膜（31）的第一掩膜图案，所述第一气体包含CHF3；借助于将第一离子离子注入到包括具有所述第一掩膜图案的所述氧化硅膜（31）的所述碳化硅衬底（90）中，来形成具有第一导电类型的第一杂质区域（124）；通过借助于采用第二气体的第二蚀刻移除所述氧化硅膜（31）的一部分，来形成所述氧化硅膜（31）的第二掩膜图案，所述第二气体包含氧气和从由CF4、C2F6、C3F8和SF6组成的组中选择的至少一种氟化合物气体；以及借助于将第二离子离子注入到包括具有所述第二掩膜图案的所述氧化硅膜（31）的所述碳化硅衬底（90）中，来形成具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二杂质区域（123）。
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