[发明专利]硅锭铸造用层压坩埚及其制造方法无效
| 申请号： | 201180013797.3 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102858687A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 胁田三郎;续桥浩司;池田洋;金井昌弘 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社;三菱材料电子化成株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能够抑制氧向硅锭中溶解的硅锭铸造用层压坩埚及其制造方法。选择硅锭铸造用层压坩埚（1），该层压坩埚是用于熔解硅原料并进行铸造硅锭的硅锭铸造用层压坩埚，其特征在于，具备：设置在铸模（2）的内侧的二氧化硅层（3），和设置在二氧化硅层（3）的表面的钡涂布层（4）。 | ||
| 搜索关键词： | 铸造 层压 坩埚 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅锭铸造用层压坩埚，用于熔解硅原料并进行铸造来制造硅锭，其特征在于，具备：设置在铸模的内侧的二氧化硅层，和设置在所述二氧化硅层的表面的钡涂布层。
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