[发明专利]用于覆盖高纵横比特征结构的氮化硅钝化层无效
| 申请号： | 201180014065.6 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102804350A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | N·拉贾戈帕兰;X·韩;R·雅玛西;朴智爱;S·帕特尔;T·诺瓦克;Z·崔;M·奈克;H·L·朴;R·丁;金秉宪 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述在基板的特征结构上形成包括氮化硅的钝化层的方法。在沉积方法的第一阶段中，将包括含硅气体与含氮气体的电介质沉积气体导入处理区中并经供给能量以沉积氮化硅层。在第二阶段中，将组成不同于电介质沉积气体的处理气体导入处理区并经供给能量以处理氮化硅层。可对第一阶段与第二阶段执行多次。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 覆盖 纵横 特征 结构 氮化 钝化 | ||
【主权项】：
一种在基板的特征结构上形成钝化层的方法，所述钝化层包括氮化硅层，且所述方法包括：(a)在处理区中提供具有多个特征结构的基板；(b)在第一阶段中，将包括含硅气体与含氮气体的电介质沉积气体导入所述处理区，并对所述电介质沉积气体供给能量以在所述特征结构上沉积氮化硅层；(c)在第二阶段中，将组成不同于所述电介质沉积气体的处理气体导入所述处理区，并对所述处理气体供给能量以处理所述氮化硅层；以及(d)对所述第一阶段与所述第二阶段执行多次。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
