[发明专利]Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置和制造方法

摘要

提供廉价的Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置及其制造方法，所述多晶体可根据需要进行掺杂而作为可期待高性能指数的热电转换材料等进行有效利用。可通过Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置1来解决技术问题，该装置1的特征在于，至少具备：反应容器3，用于将Mg粒子与Si粒子或Mg粒子与Sn粒子的混合物、或者MgSi合金粒子或MgSn合金粒子作为主要原料2进行填充并使之反应以合成下式（1）所示的Mg2Si1-xSnx多晶体12；无机纤维层6，其是固定并设置在填充于反应容器3中的原料2的上方的具有通气性的无机纤维层6，其中，可通过在合成前述多晶体12期间气化的Mg与氧发生化学反应生成的生成物7而丧失前述无机纤维层6的通气性；加热装置8，加热前述反应容器3；和控制装置9，控制前述反应容器3的加热温度和加热时间。Mg2Si1-xSnx　式（1）［式（1）中的x为0～1］。

主权项

1.Mg₂Si_1xSn_x多晶体的制造装置，其特征在于，至少具备：反应容器，用于将Mg粒子与Si粒子或Mg粒子与Sn粒子的混合物、或者MgSi合金粒子或MgSn合金粒子作为主要原料进行填充并使之反应以合成下述式（1）所示的Mg₂Si_1xSn_x多晶体；无机纤维层，其是固定并设置在填充于前述反应容器中的原料的上方的具有通气性的无机纤维层，其中，可通过在合成前述多晶体期间气化的Mg与氧发生化学反应生成的生成物而丧失前述无机纤维层的通气性；加热装置，加热前述反应容器；和控制装置，控制前述反应容器的加热温度和加热时间，Mg₂Si_1xSn_x　　　式（1）式（1）中的x为0～1。