[发明专利]镍合金溅射靶、Ni合金薄膜及镍硅化物膜有效
| 申请号： | 201180014500.5 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102803550A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 山越康广;大桥一允 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C19/03;C23C14/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种Ni合金溅射靶，其特征在于，含有5～30原子%的Pt、1～5原子%的选自V、Al、Cr、Ti、Mo和Si的一种以上成分，其余包含Ni和不可避免的杂质。本发明的课题在于抑制：作为磁导率高的Ni-Pt合金靶的缺点的漏磁通（PTF）低的情况；由此溅射时磁力线在靶的表面局部集中，从而具有靶的侵蚀区域小的倾向的情况；而且随着靶侵蚀的进行，选择性地进一步进行侵蚀的部分与不怎么进行侵蚀的部分的差异进一步增大的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 镍合金 溅射 ni 合金 薄膜 镍硅化物膜 | ||
【主权项】：
一种Ni合金溅射靶，其特征在于，含有5~30原子%的Pt、总计1~5原子%的选自V、Al、Cr、Ti、Mo和Si的一种以上成分，其余包含Ni和不可避免的杂质。
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