[发明专利]常关型氮化镓基半导体器件有效
| 申请号： | 201180014938.3 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102812554A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | J·拉达尼 | 申请（专利权）人： | 美国国家半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包括在半导体器件（100,500）中形成（604）弛豫层（106,506）。该方法还包括在弛豫层上形成（606）张力层（108，510），其中张力层具有张应力。该方法进一步包括在弛豫层上形成（606）压缩层（110,508），其中压缩层具有压应力。压缩层的压电极化强度近似等于或大于弛豫层、张力层和压缩层中的自发极化强度。压缩层中的压电极化强度与压缩层中的自发极化强度方向相反。弛豫层可以包括氮化镓，张力层可以包括氮化铝镓，并且压缩层可以包括氮化铝铟镓。 | ||
| 搜索关键词： | 常关型 氮化 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：在半导体器件中形成弛豫层；在所述弛豫层上形成张力层，所述张力层具有张应力；和在所述弛豫层上形成压缩层，所述压缩层具有压应力；其中所述压缩层的压电极化强度近似等于或大于所述驰豫层、张力层和压缩层中的自发极化强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国国家半导体公司，未经美国国家半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180014938.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：杠杆衡器式旋转省力发电装置
- 下一篇：密闭式定量取样阀门及制作方法
- 同类专利
- 专利分类
