[发明专利]利用改进惯性元件的微机电磁场传感器有效
| 申请号： | 201180014988.1 | 申请日： | 2011-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN102812375A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | P-J·陈;M·埃卡特;A·弗兰克 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/028 | 分类号： | G01R33/028 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张文达 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微机电系统（MEMS）。所述MEMS包括：基底；从基底向上延伸的第一枢轴；第一杆件臂，其随着第一纵向轴线在基底之上延伸，且可枢转地安装到第一枢轴以绕第一枢转轴线枢转；第一电容器层，其在第一杆件臂的第一电容器部分之下的位置形成在基底上；第二电容器层，其在第一杆件臂的第二电容器部分之下的位置形成在基底上，其中第一枢轴在沿着第一纵向轴线的第一电容器部分和第二电容器部分之间的位置支撑着第一杆件臂；以及第一导体部件，其延伸经过第一纵向轴线，且与第一枢转轴线分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 改进 惯性 元件 微机 电磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种微机电系统（MEMS），包括：基底；第一枢轴，其从基底向上延伸；第一杆件臂，其第一纵向轴线在基底之上延伸，所述第一杆件臂可枢转地安装至第一枢轴以绕第一枢转轴线枢转；第一电容器层，其在第一杆件臂的第一电容器部分之下的位置处形成在基底上；第二电容器层，其在第一杆件臂的第二电容器部分之下的位置处形成在基底上，其中第一枢轴在沿着第一纵向轴线的第一电容器部分和第二电容器部分之间的位置处支撑着第一杆件臂；以及第一导体部件，其延伸经过第一纵向轴线，且与第一枢转轴线分隔开。
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