[发明专利]合成具有斜方锰矿晶体结构的纳米尺寸的二氧化锰的方法、使用二氧化锰生成来自氢氧离子的质子、电子以及氧的方法有效
| 申请号： | 201180015942.1 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102884004A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 古屋仲秀树;辻本将彦 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人京都大学 |
| 主分类号： | C01G45/02 | 分类号： | C01G45/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王玉玲 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过湿式的多段氧化得到具有斜方锰矿晶体结构的纳米尺寸的二氧化锰，所述湿式的多段氧化包括如下的步骤：在含有二价锰的锰化合物的水溶液中添加碱试剂而析出氢氧化锰的步骤1；一边将含有所述氢氧化锰的所述水溶液的水温保持为室温一边添加过氧化氢溶液转换为氧化锰的步骤2；进而在水共存的状态下，在所述氧化锰中加入稀酸的步骤3。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 具有 锰矿 晶体结构 纳米 尺寸 二氧化锰 方法 使用 生成 来自 离子 质子 电子 以及 | ||
【主权项】：
一种二氧化锰的合成方法，其特征在于，所述二氧化锰的合成方法为一系列的湿式多段氧化工艺，所述湿式多段氧化工艺包括：在含有二价锰的锰化合物的水溶液中添加碱试剂，使氢氧化锰析出的步骤1；一边将所述水溶液的水温保持为室温一边添加过氧化氢溶液，将所述氢氧化锰转换为氧化锰的步骤2；在水共存的状态下，在所述氧化锰中加入稀酸而得到具有斜方锰矿晶体结构的纳米尺寸的二氧化锰的步骤3。
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