[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201180016196.8 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102834921A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;乡户宏充 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/316;H01L27/146;H01L29/417;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;李浩 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，形成与氧化物半导体膜接触并且覆盖源电极及漏电极的用来防止带电的金属氧化物膜，然后进行热处理。通过该热处理，从氧化物半导体膜中有意地去除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以高度纯化氧化物半导体膜。通过设置金属氧化物膜，可以防止在晶体管中的氧化物半导体膜的背沟道侧产生寄生沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极；覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；包括氧化物半导体的半导体膜，其中所述半导体膜的区域与所述栅电极重叠；与所述半导体膜接触的源电极及漏电极；与所述半导体膜接触并覆盖所述源电极及所述漏电极的金属氧化物膜；以及覆盖所述金属氧化物膜的绝缘膜。
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