[发明专利]光电转换装置的制造方法无效
申请号: | 201180016208.7 | 申请日: | 2011-09-09 |
公开(公告)号: | CN103081116A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 渡边俊哉;坂井智嗣;浅原裕司 | 申请(专利权)人: | 三菱重工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种抑制在背面电极层产生表面等离激元吸收的、转换效率高的光电转换装置的制造方法。一种光电转换装置(100)的制造方法,其在基板(1)上依次层叠第一透明电极层(2)、光电转换层(3)、第二透明电极层(5)、以及由金属膜构成的背面电极层(4),其中,在将水蒸气分压控制在0.6%以下的制膜室内利用溅射法形成第二透明电极层(5)。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置的制造方法,其在基板上依次层叠第一透明电极层、光电转换层、第二透明电极层、以及由金属膜构成的背面电极层,其中,在将水蒸气分压控制在0.6%以下的制膜室内形成第二透明电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的