[发明专利]氮掺杂的非晶碳硬掩模无效
| 申请号： | 201180016212.3 | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102971837A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | S·F·郑;J·扬岑;D·帕德希;金秉宪 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，特别是关于氮掺杂的非晶形碳层与用于在半导体衬底上沉积氮掺杂的非晶形碳层的工艺。在一个实施例中，提供在衬底上形成氮掺杂非晶形碳层的方法。所述方法包含以下步骤：将衬底定位在衬底处理腔室中；将含氮碳氢化合物源导入所述处理腔室；将碳氢化合物源导入所述处理腔室；将等离子体引发气体导入所述处理腔室；在所述处理腔室中生成等离子体；以及在所述衬底上形成氮掺杂非晶形碳层。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 非晶碳硬掩模 | ||
【主权项】：
一种在衬底上形成氮掺杂非晶形碳层的方法，包括以下步骤：将含氮碳氢化合物源气体导入含有衬底的处理腔室；将碳氢化合物源气体导入所述衬底处理腔室；将等离子体引发气体导入所述衬底处理腔室；在所述衬底处理腔室中生成等离子体；以及在所述衬底上形成氮掺杂非晶形碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
