[发明专利]功率用半导体装置及其制造方法

摘要

在高速切换的功率用半导体装置中，存在在切换时流过位移电流从而与其流路的电阻互相作用，而发生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜发生绝缘破坏，而半导体装置发生破坏的情况。本发明涉及的半导体装置具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，被形成于所述半导体基板的第1主面；第2导电类型的第2阱区域，被形成为包围漂移层的单元区域；以及源极焊盘，经由贯通第2阱区域上的栅极绝缘膜而设置的第1阱接触孔、贯通第2阱区域上的场绝缘膜而设置的第2阱接触孔、以及源极接触孔，而使第2阱区域彼此和单元区域的源极区域电连接。

主权项

一种功率用半导体装置，其特征在于，具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，被形成于所述半导体基板的第1主面；第2导电类型的第1阱区域，多个所述第2导电类型的第1阱区域被形成于所述漂移层的表层的一部分；第1导电类型的源极区域，被形成于多个所述第1阱区域各自的表层的一部分；第2导电类型的第2阱区域，以包围多个所述第1阱区域的方式与所述第1阱区域隔开距离地形成；栅极绝缘膜，被形成于多个所述第1阱区域和所述源极区域之上以及所述第2阱区域上的所述第1阱区域侧；场绝缘膜，被形成于所述第2阱区域之上的与所述第1阱区域侧相反一侧，且膜厚大于所述栅极绝缘膜；栅电极，被形成于所述场绝缘膜上以及所述栅极绝缘膜上；源极焊盘，经由在所述第1阱区域上贯通所述栅极绝缘膜而形成的源极接触孔、在所述第2阱区域上贯通所述栅极绝缘膜而形成的第1阱接触孔、以及在所述第2阱区域上贯通所述场绝缘膜而形成的第2阱接触孔，而使所述第1阱区域和所述第2阱区域电连接；栅极焊盘，与所述栅电极电连接；以及漏电极，被设置于所述半导体基板的第2主面。