[发明专利]二次电池及二次电池的电极的制造方法有效
| 申请号： | 201180016382.1 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102823028A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 栗城和贵;森若圭惠 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;林森 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种二次电池，该二次电池包括包含硅或硅化合物的电极，该电极例如包括由金属形成的集电体和设置在该集电体上的用作活性物质的硅膜。该电极的硅膜中的氢浓度为1.0×1018cm-3以上且1.0×1021cm-3以下。这种硅膜例如优选利用等离子体CVD法等在集电体上形成硅膜，并使硅膜中尽量不包含氢。为了使硅膜中尽量不包含氢，可在高温度环境下在集电体上形成硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二次电池，包括具有硅膜的电极，其中包含在该硅膜中的氢浓度为1.0×1018cm‑3以上且1.0×1021cm‑3以下。
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