[发明专利]通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性有效
| 申请号： | 201180016493.2 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102947917A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | C·A·杜伯尔蒂欧;M·M·弗兰克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;国家科研中心 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李镇江 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性。一种控制集成电路设备部件铁电特性的方法，包括在衬底上成形铁电性可控的介电层；并且紧靠铁电性可控的介电层成形应力施加结构，从而通过应力施加结构在铁电性可控的介电层内引发基本单轴向的应变；其中铁电性可控的介电层包括以下中的一个或多个：铁电性氧化物层以及在没有施加应力时不会表现出铁电性质的通常无铁电性的材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 加工 引发 轴向 应变 控制 薄膜 铁电性 | ||
【主权项】：
一种控制集成电路设备部件铁电特性的方法，所述方法包括：在衬底上成形铁电性可控的介电层；并且紧靠铁电性可控的介电层成形应力施加结构，从而通过应力施加结构在铁电性可控的介电层内引发基本单轴向的应变；其中铁电性可控的介电层包括以下中的一个或多个：铁电性氧化物层以及在没有施加应力时不会表现出铁电性质的通常无铁电性的材料层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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