[发明专利]低泄漏GaN MOSFET有效
| 申请号： | 201180016639.3 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102834920A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | J·拉达尼 | 申请（专利权）人： | 美国国家半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过在AlGaN（或InAlGaN）势垒层（118）上利用SiO2/Si3N4栅绝缘层（124）来形成增强模式GaN MOSFET（100）。SiO2/Si3N4栅绝缘层（124）的Si3N4部分（120）减少了栅绝缘层（124）和势垒层（118）之间的结处的界面态的形成，同时SiO2/Si3N4栅绝缘层（124）的SiO2部分（122）减少了泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 泄漏 gan mosfet | ||
【主权项】：
一种形成晶体管的方法，其包括：形成势垒层，所述势垒层包括AlGaN；形成接触所述势垒层的Si3N4层；形成接触所述Si3N4层的SiO2层；以及形成接触所述SiO2层并位于所述SiO2层上的金属栅极。
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