[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201180016665.6 | 申请日： | 2011-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN102859726A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李剡劤;慎镇哲;金钟奎;金彰渊 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的示例性实施例公开了一种发光二极管(LED)及其制造方法。LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，半导体堆叠件包括具有第一导电类型的上半导体层、有源层以及具有第二导电类型的下半导体层；隔离槽，将半导体堆叠件分为多个区域；连接件，设置在基底和半导体堆叠件之间，连接件将所述多个区域彼此电连接；分布式布拉格反射器(DBR)，具有多层结构，DBR设置在半导体堆叠件和连接件之间。连接件穿过DBR电连接到半导体堆叠件，并且DBR的一些部分设置在隔离槽和连接件之间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，半导体堆叠件包括具有第一导电类型的上半导体层、有源层以及具有第二导电类型的下半导体层；隔离槽，将半导体堆叠件分为多个区域；连接件，设置在基底和半导体堆叠件之间，连接件将所述多个区域彼此电连接；以及分布式布拉格反射器，包括多层结构，分布式布拉格反射器设置在半导体堆叠件和连接件之间，其中，连接件穿过分布式布拉格反射器电连接到半导体堆叠件，并且分布式布拉格反射器的一些部分设置在隔离槽和连接件之间。
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